redis击穿,雪崩击穿

展全思梦 2025-11-17 14:17:37

redis击穿,雪崩击穿

三极管的“雪崩击穿”是怎么一回事？

三极管是一个具有两个PN结的半导体器件，它们的发射结和集电结所加的反向电压若超过其允许值，PN结将会被反向击穿。雪崩击穿就是指加在三极管PN结两端的反向电压足够大时，PN结内部载流子（电子或空穴）可能和晶体结构中的外层电子碰撞而使其脱离原子核的束缚，这种被撞出来的载流子在获得能量之后，又去碰撞其它的外层电子，从而导致载流子突然急剧增加，这种击穿就是雪崩击穿。

▲ 三极管发射结和集电结等效电路。上图所示为NPN型三极管的等效电路，从图中可见，其发射结和集电结可以视为一个二极管。三极管在使用时，不论其发射结还是集电结或者c-e两极之间所加的反向电压不能过高，否则三极管将可能被击穿损坏。对于NPN型硅三极管，其发射结的反向击穿电压一般都在5～7V，集电结的反向击穿电压一般从十几伏到数百伏不等，具体大小与型号有关。

譬如常用的9013三极管的BVcbo（即集电结的反向击穿电压）为40V，而高反压三极管MJE13001的BVcbo可达600V。另外，三极管的c-e两极之间所加的电压也不能过高，否则管子也可能会被击穿损坏。像上述的9013三极管的BVceo（即c-e两极之间的击穿电压）为25V，MJE13001的BVceo为400V。

一般三极管的BVceo略小于BVcbo。▲ 三极管耐压值的测试。有兴趣的读者可以实测一下9013三极管的BVceo，测试时，将数字万用表直流2mA档串联一个1MΩ的电阻接在9013的集电极与一个可调电源的正极之间，在电源电压≤20V时，电流表显示的电流不到1μA，当电源电压＞25V（约）时，电流表显示的电流会急剧增大，此时说明管子已击穿。

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